晶圆退火

该工艺采用近红外波段半导体激光光源，通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统，形成高能量密度极窄激光光斑照射到晶圆表面，在不到 1 毫秒的时间内将表层原子层加热到 1000°C 以上再急速冷却3。

这一技术可以改变晶圆中特定区域的晶体结构和电学性能，比如修复离子注入过程中产生的晶格损伤，激活掺杂元素，提高载流子迁移率等，进而有效减少前道工序中产生的晶圆电极缺陷，提高产品性能，提升晶圆生产良品率。

激光晶圆退火具有精确的局部加热、快速加热和冷却、低温处理等优势。不过，其工艺参数的控制较为复杂，且在处理大面积晶圆时，保证加热均匀性存在一定难度。

涉及产品：ALPHA系列焦耳级脉冲激光器、TANK系列风冷LD激光器